栅极的制备方法

摘要

本发明提供一种金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，部分半导体衬底的表面具有伪栅极，伪栅极包括依次层叠的介电层、第一高k介质层、阻挡层及多晶硅层；沉积第二高k介质层，第二高k介质层覆盖剩余的半导体衬底及伪栅极的侧壁和顶壁；刻蚀第二高k介质层，使得第二高k介质层在至少部分阻挡层的侧壁形成缓冲层；形成侧墙，侧墙覆盖缓冲层及伪栅极的侧壁；沉积层间介质层，层间介质层覆盖半导体衬底及侧墙，且多晶硅层暴露在层间介质层之外；去除多晶硅层，形成沟槽；在沟槽中填充金属层，形成金属栅极。本发明中，在阻挡层的侧壁形成缓冲层，缓冲层将阻挡层的部分侧壁包围，从而提高伪栅极侧壁的平整度，改善器件的性能。

主权项

一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底的表面具有伪栅极，所述伪栅极包括依次层叠的介电层、第一高k介质层、阻挡层及多晶硅层；沉积第二高k介质层，所述第二高k介质层覆盖剩余的所述半导体衬底及所述伪栅极的侧壁和顶壁；刻蚀所述第二高k介质层，使得所述第二高k介质层在至少部分所述阻挡层的侧壁形成缓冲层；形成侧墙，所述侧墙覆盖所述缓冲层及所述伪栅极的侧壁；沉积层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体衬底及所述侧墙，且所述多晶硅层暴露在所述层间介质层之外；去除所述多晶硅层，形成沟槽；在所述沟槽中填充金属层，形成金属栅极。