| 摘要 |
탄탈륨 단편 또는 탄탈륨 합금 단편의 처리 방법으로서, 상기 방법은 상기 단편을 로(furnace)에 배치하고, 상기 로를 진공 하에 적어도 1400℃의 온도로 가열하는 단계; 상기 가열된 로에 10 mbar 이하의 압력으로 기체 탄소 공급원을 주입함으로써, 상기 단편의 주변부에 탄소 다층을 형성하는 단계로서, 상기 탄소 다층이 상기 단편의 표면에 위치하는 적어도 1개의 탄화탄탈륨 층(C1)과, 상기 C1층의 탄소 함량보다 낮은 탄소 함량을 포함하는 2개의 층(C2 및 C3)을 포함하는 단계; 상기 단편을 냉각시킴으로써 상기 탄소 다층의 형성을 중지시키는 단계; 상기 단편의 둘레에 탄소, 산소 및 질소를 트랩핑 할 수 있는 보호 장치를 배치하여 상기 단편을 상기 로에 존재하는 미량의 탄소 및 산소 및 질소로부터 보호하는 단계; 진공 하에 상기 로를 가열함으로써, 상기 C1층에 존재하는 탄소의 전부 또는 일부의 상기 C2층 및 C3층으로의 확산을 야기하는 단계로서, 상기 단편이 상기 보호 장치 내에 수용되어 있는 단계; 및 상기 탄소 다층에 존재하는 탄소가 상기 단편의 중심부에 도달하기 전에 상기 단편을 진공 하에 냉각함으로써 상기 단편 내 탄소의 확산을 중지시키는 단계를 포함한다. 따라서, 단편의 표면에는 TaC가 없고, 단편의 중심부에는 탄소가 없으며, 상기 표면 및 상기 중심부 사이에 위치한 부분은 탄탈륨 및 탄소를 포함하는 단편이 얻어진다. |
