| 摘要 |
본 발명은 수직형 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 수직형 발광 다이오드의 제조방법에 있어서, 패턴층이 형성된 사파이어 기판(Patterned Sapphire Substrate, PSS) 상에 반도체 에피층을 형성하는 제1단계와, 상기 사파이어 기판의 하부측에서 상기 사파이어 기판의 패턴층의 이면까지 수직홀을 가공하는 제2단계와, 상기 에피층의 이면이 노출될 때까지 상기 수직홀을 추가 가공하는 제3단계와, 상기 수직홀 내부에 홀전극을 충진하는 제4단계와, 상기 에피층 상부에 상부전극을 형성하는 제5단계와, 상기 수직홀 하측의 상기 사파이어 기판 하부에는 하부전극을 형성하여 상기 홀전극을 통해 상기 에피층과 상기 상부전극 및 하부전극을 전기적으로 접속시키는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 홀 가공을 통한 수직형 발광 다이오드의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 사파이어 기판을 제거하는 공정을 포함하지 않으므로, 반도체 에피층의 손상을 최소화면서, 사파이어 기판의 하부측에서 수직홀을 가공하여 홀전극을 구현함으로써 사파이어 기판의 가공이 용이하여 공정 프로세스가 간단하며, 사파이어 기판의 필요한 영역에 수직홀만을 형성하게 되므로, 사파이어 기판의 패턴층의 제거를 최소화하여 광효율을 더욱 향상시키는 이점이 있다. |
