发明名称 基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器
摘要 基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器,包括匹配层,阵列结构压电材料薄片,绝缘胶层,硅像素芯片,芯片bonding电路板;所述阵列结构压电材料薄片由单面电极及阵列结构的压电材料小单元构成,匹配层粘附在单面电极上,单面电极接地,阵列结构的压电材料小单元通过绝缘胶层与硅像素芯片粘接;硅像素芯片固定安装在芯片bonding电路板上。探测器接收到超声波,超声波通过匹配层在阵列结构压电材料薄片的紧实的压电材料小单元上转化为不等量的电信号,透过绝缘胶层、硅像素芯片上的像素感应出不等量的电荷,芯片bonding电路板输出相应模拟信号或数字信号,得到待测物体内部三维信息。本发明采用硅像素芯片对超声波实时响应,使探测器成像具有高分辨率和精确度。
申请公布号 CN104274212B 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201410535088.7 申请日期 2014.10.11
申请人 华中师范大学 发明人 孙向明;许怒;吴轲娜
分类号 A61B8/13(2006.01)I;A61B8/00(2006.01)I 主分类号 A61B8/13(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 胡建平;杨晓燕
主权项 基于高密度电极阵列的高空间分辨超声探测器,其特征在于,包括匹配层(1),阵列结构压电材料薄片(2),绝缘胶层(3),硅像素芯片(4),芯片bonding电路板(5);所述阵列结构压电材料薄片(2)由单面电极及阵列结构的压电材料小单元构成,匹配层(1)粘附在单面电极上,单面电极接地,阵列结构的压电材料小单元通过绝缘胶层(3)与硅像素芯片(4)粘接,硅像素芯片(4)固定安装在芯片bonding电路板(5)上;所述阵列结构压电材料薄片(2)的单面电极用于使阵列结构的压电材料小单元与硅像素芯片(4)之间形成电势差,进而在硅像素芯片(4)的像素上产生感应电荷;阵列结构压电材料薄片(2)的两面电极中的其中一面,通过机械研磨或者化学腐蚀的方法去除;在去除电极的面上,通过微加工蚀刻的方法,将阵列结构压电材料薄片(2)切成64行*64列的方形阵列结构,与硅像素芯片(4)的像素阵列形成一一对应的关系,保留的单面电极面仍是完整的未被切割分裂的平面。
地址 430079 湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号华中师范大学