基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法

摘要

本发明涉及一种基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，该方法包括：由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统；在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位，观察位存储已知数据；冗余系统控制电路对每个SRAM存储阵列中的观察位进行周期性检查，当发现观察位数据发生翻转错误，则刷新对应SRAM存储阵列中发生翻转错误的观察位周围的嫌疑区域内的数据位，并且在刷新前的判决时放弃采用这些数据，刷新完成后，将对应的观察位的数据恢复。本发明可以提高冗余判决的正确率，降低每个存储器的数据错误率，最终使多模冗余存储系统整体的性能得到提高。

主权项

基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于该方法包括下列顺序的步骤：(1)由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统；(2)在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位，观察位存储已知数据；(3)冗余系统控制电路对每个SRAM存储阵列中的观察位进行周期性检查，当发现观察位数据发生翻转错误，则刷新对应SRAM存储阵列中发生翻转错误的观察位周围的嫌疑区域内的数据位，并且在刷新前的判决时放弃采用这些数据，刷新完成后，将对应的观察位的数据恢复。