发明名称 一种高比电容聚吡咯的制备方法
摘要 本发明公开了一种高比电容聚吡咯的制备方法。该方法以乙二酸(oxalic acid)为聚吡咯(polypyrrole,简称PPy)的掺杂剂,过硫酸铵作为氧化引发剂,通过化学氧化聚合的方法合成聚吡咯。通过改变吡咯单体与乙二酸的含量,可以制备出不同形貌的聚吡咯,经过对比及优化方案,确定了当吡咯单体与乙二酸的摩尔比为1:3时,制备的聚吡咯(PPy<sub>1/3</sub>)具有最高的比电容,在0.2A/g 的电流密度的测试条件下,其比电容可达744.38 F/g。
申请公布号 CN104672447B 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201510086273.7 申请日期 2015.02.21
申请人 桂林理工大学 发明人 樊新;杨哲伟;刘铮
分类号 C08G73/06(2006.01)I 主分类号 C08G73/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高比电容聚吡咯的制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)按摩尔比称取吡咯和乙二酸,吡咯与乙二酸的摩尔比为10:1、5:1、3:1、1:1、1:3和1:5中的一种,其中吡咯为0.5毫升;(2)将步骤(1)称取的乙二酸分散于50毫升的去离子水中,随后,将其倒入250mL的烧瓶中,在冰水浴中搅拌20分钟,然后将步骤(1)称取的吡咯也注入上述烧瓶中,在冰水浴中继续搅拌30分钟;(3)称量1.64815克的过硫酸铵溶解于30 毫升的去离子水中,超声溶解后逐滴加入到步骤(2)的烧瓶中,在冰水浴中聚合反应8个小时;(4)反应结束后用去离子水和无水乙醇抽滤洗涤至中性,50℃干燥24个小时,研磨后即制得聚吡咯。
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