平面型VDMOS器件的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种平面型VDMOS器件的制作方法。该方法包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层和多晶硅层，并在N型外延层中生成P-区和N+源区；对栅氧化层进行光刻、刻蚀处理，以露出P-区和部分N+源区；从露出的P-区的表面向下在不同深度位置分别注入P型杂质；对P型杂质进行驱入处理形成P+区；生成介质层和金属层，以完成平面型VDMOS器件的制作。本发明实施例可以精确控制深体区即P+区的结深，通过增大深体区结深，以及注入P型杂质增大掺杂浓度，减小了深体区电阻，有效防止寄生三极管导通，提升了平面型VDMOS器件的EAS能力，同时不影响平面型VDMOS器件电性参数。

主权项

一种平面型VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层和多晶硅层，并在所述N型外延层中生成P‑区和N+源区；对所述栅氧化层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述P‑区和部分所述N+源区；从露出的所述P‑区的表面向下在不同深度位置分别注入P型杂质；对所述P型杂质进行驱入处理，以使所述P型杂质受热膨胀并与所述P‑区中的硅反应，形成P+区；在所述栅氧化层和所述多晶硅层上表面生成介质层，在所述N+源区、所述P+区和所述介质层上表面生成金属层，以完成所述平面型VDMOS器件的制作。