一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明由于采用倒梯形栅结构，其栅控能力位于三栅和围栅之间，使得倒梯形顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺制备抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

主权项

一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管，其特征在于，该场效应晶体管包括半导体衬底、器件隔离、倒梯形Fin沟道区、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和金属Metal0；其中，在半导体衬底上形成源区、漏区以及连接二者的倒梯形Fin沟道区和器件隔离；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分倒梯形Fin沟道区的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、倒梯形Fin沟道区、栅电极层和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。