| 发明名称 | 金属氧化物功率器件的制备方法及金属氧化物功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及一种金属氧化物功率器件，所述制备方法包括：制备形成有电容区和器件区的衬底结构，其中，所述衬底结构包括衬底，所述电容区和所述器件区形成于所述衬底的一侧；在所述器件区内形成第一金属电极，在所述电容区内形成第二金属电极，以及在所述衬底的另一侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备。通过本发明的技术方案，能够有效地实现金属氧化物功率器件与电容一体化集成，同时大大降低制备成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106298654A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510236741.4 | 申请日期 | 2015.05.11 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，包括：制备形成有电容区和器件区的衬底结构，其中，所述衬底结构包括衬底，所述电容区和所述器件区形成于所述衬底的一侧；在所述器件区内形成第一金属电极，在所述电容区内形成第二金属电极，以及在所述衬底的另一侧形成第三电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||