| 发明名称 | 一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)，该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用SiC材料具有较高的临界击穿电场(E<sub>C‑SiC</sub>＝3.0×10<sup>6</sup>V/cm＞E<sub>C‑Si</sub>＝3.0×10<sup>5</sup>V/cm)的特性，使得器件的击穿位置在SiC埋层中，从而有效地提高了LDMOS的击穿电压，使得器件的性能大幅度提高。 | ||
| 申请公布号 | CN106298943A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610872198.1 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 段宝兴;曹震;吕建梅;董自明;师通通;杨银堂 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 胡乐 |
| 主权项 | 一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上生长的外延层；在所述外延层上形成相邻接的基区和漂移区；在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道，同时在漂移区上远离沟道一侧形成漏区，在所述基区上形成沟道衬底接触并与靠近沟道一侧短接形成源区；位于沟道上方的栅绝缘层以及栅极；分别在源区和漏区上形成的源极和漏极；其特征在于：所述外延层为异质外延层，即形成具有宽禁带半导体材料SiC埋层的外延层，SiC埋层形成在漏区下方。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||