发明名称 存储器件及半导体器件
摘要 存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管,晶体管用作为开关元件,用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外,由于晶体管的活性层包含氧化物半导体,因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中,不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极,而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量,来存储数据。
申请公布号 CN106298794A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610883736.7 申请日期 2011.08.18
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G11C11/403(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种存储器件,包括:包含氧化物半导体层、第一栅电极和第二栅电极的晶体管;以及电连接至所述氧化物半导体层的存储元件,其中,所述第二栅电极配置成通过改变施加至所述第二栅电极的电位控制所述晶体管的阈值电压,以及其中,所述氧化物半导体层置于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间。
地址 日本神奈川县