一种阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，通过该阵列基板的制作方法，可以将LTPS TFT的离子活化工艺和Oxide TFT的非晶态转变为微晶态的工艺集成在一起。一种阵列基板的制作方法，该方法包括：形成第一有源层；第一有源层的材料为多晶硅；至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入，掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成第二有源层之后，采用活化工艺，以使得第一有源层中注入的离子活化、第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。本发明适用于阵列基板、以及包括该阵列基板的显示装置的制作。

主权项

一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一有源层；所述第一有源层的材料为多晶硅；至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入，所述掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；所述第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向所述第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成所述第二有源层之后，采用活化工艺，以使得所述第一有源层中注入的离子活化、所述第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。