一种制备高介电氧化钇薄膜的低温液相方法

摘要

本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种制备高介电氧化钇薄膜的低温液相方法。包括如下步骤：称取可溶性的钇盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化钇前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化钇前驱体溶液；制备氧化钇薄膜：将氧化钇前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化钇前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化钇薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化钇溶液并退火处理，即得到氧化钇介电薄膜。本发明所得氧化钇薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。

主权项

一种制备高介电氧化钇薄膜的低温液相方法，其特征在于包括如下步骤：(1) 制备氧化钇前驱体溶液：称取可溶性的钇盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化钇前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化钇前驱体溶液；(2) 制备氧化钇薄膜：将氧化钇前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化钇前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化钇薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化钇溶液并退火处理，即得到氧化钇介电薄膜；所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。