MEMS器件三维封装互连材料

摘要

本发明公开了MEMS器件三维封装互连材料，属于MEMS互连材料领域。该互连材料的纳米PrSn₃含量为0.05～0.5％，纳米Cu₆Sn₅含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。使用纳米PrSn₃颗粒、纳米Cu₆Sn₅颗粒、亚微米Cu颗粒，Ag纳米线，预先将Sn/Bi粉末混合均匀，添加钎剂混合，制备膏状的互连材料，然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线，最后添加纳米PrSn₃颗粒、纳米Cu₆Sn₅颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。本互连材料具有较低的低熔点和较高的性能，可用于MEMS器件的互连。

主权项

一种MEMS器件三维封装互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：纳米PrSn₃含量为0.05～0.5％，纳米Cu₆Sn₅含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。