发明名称 晶片的加工方法
摘要 提供晶片的加工方法,即使是在晶片的背面上形成有SiO<sub>2</sub>膜、SiN膜或实施了蚀刻处理的情况下也能够将晶片可靠地分割成一个个的器件。将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并在由多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件,晶片的加工方法包含:改质层形成工序,将聚光点从晶片的正面侧定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,在晶片的内部形成改质层;保护部件粘接工序,在晶片的正面上粘接保护部件;以及背面磨削工序,将晶片的保护部件侧保持在卡盘工作台上,对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度并且沿着形成有改质层的分割预定线分割成一个个的器件。
申请公布号 CN106298651A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610443117.6 申请日期 2016.06.20
申请人 株式会社迪思科 发明人 中村胜
分类号 H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;于靖帅
主权项 一种晶片的加工方法,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件,该晶片的加工方法沿着分割预定线将该晶片分割成一个个的器件,其特征在于,该晶片的加工方法包含如下的工序:改质层形成工序,将聚光点从晶片的正面侧定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层;保护部件粘接工序,在实施了该改质层形成工序的晶片的正面上粘接保护部件;以及背面磨削工序,将实施了该保护部件粘接工序的晶片的保护部件侧保持在卡盘工作台上,对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度并且沿着形成有改质层的分割预定线分割成一个个的器件。
地址 日本东京都