| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置。本发明提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制实例，本发明的各种方面提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括形成于加强层上的再分布结构。 | ||
| 申请公布号 | CN106298684A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610461558.9 | 申请日期 | 2016.06.23 |
| 申请人 | 艾马克科技公司 | 发明人 | 李旺求;培中希;姜成根;宋洋;李武刚;真纳莱 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人 | 林柳岑;王兴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：插入件，其包括：加强件层，其包括顶部加强件表面、底部加强件表面和导电通孔，所述导电通孔从所述顶部加强件表面延伸到所述底部加强件表面；及再分布结构，其包括顶部再分布结构表面和耦合到所述顶部加强件表面的底部再分布结构表面；以及半导体裸片，其连接到所述顶部再分布结构表面。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州85284创新圈坦普东路2045号 | ||