刻蚀方法

摘要

本发明揭示了一种刻蚀方法，使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀，包括：提供第一工艺腔和第二工艺腔，第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件；在第一工艺腔内对阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物，监测第一标记产物在第一工艺腔内的浓度；第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时，第一道刻蚀工艺结束，并将晶圆转移至第二工艺腔；在第二工艺腔内对阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物，监测第二标记产物在第二工艺腔内的浓度；第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时，第二道刻蚀工艺结束。本发明揭示的刻蚀方法能够提高效率，改善刻蚀结果。

主权项

一种刻蚀方法，使用刻蚀气体对晶圆的阻挡层和/或掩膜层进行刻蚀，其特征在于，包括：提供第一工艺腔和第二工艺腔，所述第一工艺腔与第二工艺腔具有不同的工艺条件；在第一工艺腔内对所述阻挡层进行第一道刻蚀工艺并产生第一标记产物，监测所述第一标记产物在第一工艺腔内的浓度；所述第一标记产物在第一工艺腔内的浓度达到第一终点值时，所述第一道刻蚀工艺结束，并将所述晶圆转移至第二工艺腔；在第二工艺腔内对所述阻挡层或掩膜层进行第二道刻蚀工艺并产生第二标记产物，监测所述第二标记产物在第二工艺腔内的浓度；所述第二标记产物在第二工艺腔内的浓度达到第二终点值时，所述第二道刻蚀工艺结束。