压力传感器

摘要

本实用新型公开了一种压力传感器，涉及测量压力的装置技术领域。所述压力传感器包括GaN层，所述GaN层的上表面设有势垒层，所述势垒层以外的漏源区域分别设有漏电极和源电极，所述势垒层的上表面设有介质层，部分所述介质层的上表面设有压电材料层。所述传感器通过采用GaN作为衬底，不需要进行衬底腔体刻蚀，以及后续的晶圆键合工艺，可以大大简化加工工艺，降低成本，并可以通过选取不同压电特性的压电材料作为栅电极，制作不同灵敏度、不同测量量程的传感器器件，扩大其应用范围。

主权项

一种压力传感器，其特征在于：包括GaN层（101），所述GaN层（101）的上表面设有势垒层（100），所述势垒层（100）以外的漏源区域分别设有漏电极（104）和源电极（107），所述势垒层（100）的上表面设有介质层（105），部分所述介质层（105）的上表面设有压电材料层（106）。