发明名称 |
一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种快速可控制备Mg‑Si‑Sn基热电材料的方法,包含以下步骤:1)配料压片:在惰性气体保护下,按化学式Mg<sub>2(1+z)</sub>Si<sub>1‑x</sub>Sn<sub>x</sub>Sb<sub>y</sub>(0≤z≤0.12,0≤x≤1.0,0≤y≤0.025)中各元素的化学计量比称取Mg粉、Mg<sub>2</sub>Si粉、Sn粉及Sb粉作为原料,混合均匀压制成块体;2)所得块体真空密封后,加热到823–833K,保温5‑10min,随炉冷却;3)步骤2)所得产物在惰性气体保护下研成粉末,进行放电等离子活化烧结,即可得到高性能的Mg‑Si‑Sn基热电材料。本发明具有工艺简单、能耗低、制备周期短、重复性好、得到的块体材料热电性能优异等特点。 |
申请公布号 |
CN104232960B |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201410446023.5 |
申请日期 |
2014.09.03 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
唐新峰;尹康;邱思源;张强;鄢永高;苏贤礼 |
分类号 |
C22C1/04(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/04(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
唐万荣;张秋燕 |
主权项 |
一种快速可控制备Mg‑Si‑Sn基热电材料的方法,其特征在于包含以下步骤:1)配料压片:在惰性气体保护下,按化学式Mg<sub>2(1+z)</sub>Si<sub>1‑x</sub>Sn<sub>x</sub>Sb<sub>y</sub>(0≤z≤0.12,0≤x≤1.0,0≤y≤0.025)中各元素的化学计量比称取Mg粉、Mg<sub>2</sub>Si粉、Sn粉及Sb粉作为原料,然后混合均匀压制成块体;2)一步固相反应:将步骤1)所得块体真空密封,然后升温到823‑833K,保温5‑10min,随炉冷却至室温;3)放电等离子活化烧结:将步骤2)所得产物在惰性气体保护下研成粉末,然后进行放电等离子活化烧结,即可得到高性能的Mg‑Si‑Sn基热电材料。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |