发明名称 |
具有MEMS IC的紧凑电子封装体和相关方法 |
摘要 |
本发明涉及具有MEMS IC的紧凑电子封装体和相关方法。电子器件可以包括:横向间隔开的第一和第二互连衬底,在它们之间限定缝隙开口;以及第一IC,在缝隙开口中并且电耦合到第一和第二互连衬底中的至少一个。电子器件可以包括:第一其它IC,在第一IC之上并且电耦合到第一和第二互连衬底中的一个或者多个;以及包封材料,在第一和第二互连衬底、第一IC和第一其它IC之上。 |
申请公布号 |
CN104760920B |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201410007142.0 |
申请日期 |
2014.01.02 |
申请人 |
意法半导体研发(深圳)有限公司 |
发明人 |
栾竟恩 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;张宁 |
主权项 |
一种电子器件,包括:横向间隔开的第一互连衬底和第二互连衬底,在它们之间限定缝隙开口;至少一个第一集成电路(IC),在所述缝隙开口中,并且电耦合到所述第一互连衬底和所述第二互连衬底中的至少一个;至少一个第一其它IC,在所述至少一个第一IC之上,并且电耦合到所述第一互连衬底和所述第二互连衬底中的至少一个;包封材料,在所述第一互连衬底和所述第二互连衬底、所述至少一个第一IC和所述至少一个第一其它IC之上;以及至少一个键合导线,直接耦合在所述至少一个第一IC与所述第一互连衬底和所述第二互连衬底中的所述至少一个之间。 |
地址 |
518057 广东深圳市南山区科技园高新区南区南一道创维大厦 |