发明名称 一种USB存储系统双电源供电电路
摘要 本发明涉及一种USB存储系统双电源供电电路,包括系统供电5V电源、USB供电5V电源、第一NPN型MOS管、第二NPN型MOS管、第一PNP型MOS管、第二PNP型MOS管以及第一电阻、第二电阻。本发明由于采用两个NPN型MOS管组成互锁电路,因而能够根据不同电源供电方式,控制选择输出方式,从而实现USB存储系统在即可使用外部供电电源工作,也可离线使用具有USB端口读取功能的设备供电工作,克服了现有技术在系统中无法适应的不足,并具有结构简单,工作可靠,适用性强等特点。
申请公布号 CN106292983A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610675788.5 申请日期 2016.08.17
申请人 天津市英贝特航天科技有限公司 发明人 高臣;郑雍
分类号 G06F1/26(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I 主分类号 G06F1/26(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种USB存储系统双电源供电电路,其特征在于,包括系统供电5V电源、USB供电5V电源、第一NPN型MOS管、第二NPN型MOS管、第一PNP型MOS管、第二PNP型MOS管以及第一电阻、第二电阻;其中,系统供电5V电源连接第一NPN型MOS管的D极,USB供电5V电源连接第二NPN型MOS管的D极,第一电阻的一端连接第一NPN型MOS管的D极,第一电阻的另一端连接第一PNP型MOS管的G极,第二电阻的一端连接第二NPN型MOS管的D极,第二电阻的另一端连接第二PNP型MOS管的G极,第一PNP型MOS管的G极连接第二NPN型MOS管的G极,第一PNP型MOS管的D极连接第一NPN型MOS管的G极,第一PNP型MOS管的S极接地,第二PNP型MOS管的G极连接第一NPN型MOS管的G极,第二PNP型MOS管的D极连接第二NPN型MOS管的G极,第二PNP型MOS管的S极接地,第一NPN型MOS管的S极并联第二NPN型MOS管的S极后连接USB存储系统供电电源输入端。
地址 300110 天津市南开区华苑产业区海泰发展六道6号海泰绿色产业基地K2-7-401室