| 发明名称 | 多晶硅栅极的制作方法以及嵌入式闪存的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种多晶硅栅极的制作方法以及嵌入式闪存的制作方法。包括：提供前端结构，所述前端结构包括栅氧化层；在所述前端结构上形成覆盖所述栅氧化层的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的厚度小于等于<img file="DDA0000728586720000011.GIF" wi="151" he="66" />在所述第一多晶硅层上形成隔离层；在所述隔离层上形成图案化的光阻；刻蚀所述隔离层和第一多晶硅层形成通孔，所述通孔暴露所述栅氧化层；采用氧离子灰化工艺去除所述图案化的光阻；以及去除所述隔离层。本方法能够防止灰化过程对多晶硅晶粒界限进行氧化，确保了第一多晶硅层的质量，也就避免了第一多晶硅层下方的栅氧化层被侵蚀，从而提高了获得的多晶硅栅极的质量，提高了良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106298483A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510290022.0 | 申请日期 | 2015.05.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 单秉锐 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/32(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅极的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括栅氧化层；在所述前端结构上形成覆盖所述栅氧化层的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的厚度小于等于<img file="FDA0000728586690000011.GIF" wi="162" he="79" />在所述第一多晶硅层上形成隔离层；在所述隔离层上形成图案化的光阻；刻蚀所述隔离层和第一多晶硅层形成通孔，所述通孔暴露所述栅氧化层；采用氧离子灰化工艺去除所述图案化的光阻；以及去除所述隔离层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||