| 发明名称 | 下电极以及半导体加工设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供的下电极以及半导体加工设备，包括用于支撑和固定基座的腔体，在该腔体内，且位于基座的下方选择性地对应基座的不同区域中的至少一个区域设置有磁控管，以调节基座附近的等离子体分布。本发明提供的下电极，其可以对任意局部的等离子体分布进行调节，调节灵活性较高，从而可以满足不同工艺对均匀性的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN106298420A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510266517.X | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 郑友山 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种下电极，包括用于支撑和固定基座的腔体，其特征在于，在所述腔体内，且位于所述基座的下方选择性地对应所述基座的不同区域中的至少一个区域设置有磁控管，以调节所述基座附近的等离子体分布。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||