| 发明名称 | 存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括叠层结构、多个第一盖层以及多个第二盖层。叠层结构位于基底上。叠层结构包括相互交替叠层的多个第一导体层以及多个介电层。第一盖层分别位于第一导体层的侧壁上。第二盖层分别位于介电层的侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN106298787A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510319580.5 | 申请日期 | 2015.06.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖相宇;杨儒兴 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种存储元件，包括：一叠层结构，位于一基底上，该叠层结构包括相互交替叠层的多个第一导体层以及多个介电层；多个第一盖层，分别位于这些第一导体层的侧壁上；以及多个第二盖层，分别位于这些介电层的侧壁上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||