氮化物半导体装置

摘要

本发明提供一种能够抑制栅极漏电流并且断开时的响应速度较快的常闭型的氮化物半导体装置。该氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其被配置在所述第一氮化物半导体层之上，并且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；p型半导体层，其被配置在所述第二氮化物半导体层之上；栅电极，其被配置在所述p型半导体层之上。在所述栅电极与所述p型半导体层之间并列配置有第一界面和第二界面，所述第一界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有第一壁垒，所述第二界面对于在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上流动的空穴而具有大于第一壁垒的第二壁垒。

主权项

一种氮化物半导体装置，具有：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其被配置在所述第一氮化物半导体层之上，并且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；p型半导体层，其被配置在所述第二氮化物半导体层之上；栅电极，其被配置在所述p型半导体层之上，在所述栅电极与所述p型半导体层之间并列配置有第一界面和第二界面，所述第一界面在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上对于空穴而具有第一壁垒，所述第二界面在从所述p型半导体层朝向所述栅电极的方向上对于空穴而具有大于第一壁垒的第二壁垒。