发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括:衬底基板;在衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层,第一极和公共电极位于同一层,有源层位于第一极上方且与第一极接触;在设置有有源层的衬底基板上设置有栅极和第二极,第二极与有源层连接;其中,第一极为源极,第二极为漏极;或者,第一极为漏极,第二极为源极。本发明在衬底基板上形成第一极和公共电极仅需要采用一次构图工艺即可,简化了薄膜晶体管的制造工艺。 |
申请公布号 |
CN106298959A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610936353.1 |
申请日期 |
2016.11.01 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
发明人 |
韩领;林亮;姜涛 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
滕一斌 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底基板;在所述衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层,所述第一极和所述公共电极位于同一层,所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触;在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅极和第二极,所述第二极与所述有源层连接;其中,所述第一极为源极,所述第二极为漏极;或者,所述第一极为漏极,所述第二极为源极。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |