| 发明名称 | 含硅膜的成膜方法以及成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106282966A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610465904.0 | 申请日期 | 2016.06.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种含硅膜的成膜方法，其中，所述含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，且至少执行1次该第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向基板供给含硅气体，使含硅气体吸附在形成于所述基板的表面的凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，使含硅膜堆积于所述凹坑内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||