| 发明名称 | 形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成半导体结构的方法，其包含以下步骤。首先，在一目标层上形成多个轴心体。接着，在该些轴心体的两侧形成紧邻该些轴心体的多个第一衬垫层。之后，在该些第一衬垫层的两侧形成紧邻该些第一衬垫层的多个第二衬垫层。并且，在该些第二衬垫层的两侧形成紧邻该些第二衬垫层的多个第三衬垫层。后续，同时移除该些轴心体以及该些第二衬垫层。 | ||
| 申请公布号 | CN106298519A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510247297.6 | 申请日期 | 2015.05.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘恩铨;童宇诚 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，其特征在于包含：在一目标层上形成多个轴心体；在该些轴心体的两侧形成紧邻该些轴心体的多个第一衬垫层；在该些第一衬垫层的两侧形成紧邻该些第一衬垫层的多个第二衬垫层；在该些第二衬垫层的两侧形成紧邻该些第二衬垫层的多个第三衬垫层；同时移除该些轴心体以及该些第二衬垫层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||