| 摘要 |
본 발명은 은합금 물질 및 상기 은합금 물질의 제조 방법을 제공하며, 상기 은합금 물질은 약 65중량% 내지 95 중량%의 Ag, 약 5 중량% 내지 35 중량%의 In을 필수적으로 포함한다. 상기 은합금 물질은 고체-액체 공존 대역을 갖는다. 상기 은합금 물질을 제조하는 단계는 혼합, 진공에서 가열, 냉각 및 어닐링을 포함한다. 상기 은합금의 특징은 낮은 항복 인장강도(58 Mpa), 높은 최대 인장강도(300 MPa) 및 높은 연신율(60%) 및 항-변색방지 특성을 갖는다. 상기 은합금 물질은 광학 리플렉터 미러, 은 장식품, 납땜재료 및 반도체 본딩용의 초미세 은합금 배선에 사용될 수 있다. |
