| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：上栅极(1)、下栅极(4)、上绝缘层(6)、下绝缘层(7)、半导体层(5)、源极(2)和漏极(3)；其中，所述下栅极(4)上方设有所述下绝缘层(7)；所述下绝缘层(7)上方设有所述半导体层(5)；所述半导体层(5)分别与所述源极(2)和漏极(3)搭接；所述半导体层(5)上方覆盖所述上绝缘层(6)；所述上绝缘层(6)上方设有上栅极(1)；其中，在与所述半导体层(5)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(1)的正投影与所述源极(2)的正投影之间存在第一间隙(8)，所述上栅极(1)的正投影与所述漏极(3)的正投影之间存在第二间隙(9)。 | ||
| 申请公布号 | CN106298883A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510305703.X | 申请日期 | 2015.06.04 |
| 申请人 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 | 发明人 | 单奇;黄秀颀;蔡世星;张小宝;郭瑞;林立;高孝裕 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人 | 杨晞 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：上栅极(1)、下栅极(4)、上绝缘层(6)、下绝缘层(7)、半导体层(5)、源极(2)和漏极(3)；其中，所述下栅极(4)上方设有所述下绝缘层(7)；所述下绝缘层(7)上方设有所述半导体层(5)；所述半导体层(5)分别与所述源极(2)和漏极(3)搭接；所述半导体层(5)上方覆盖有所述上绝缘层(6)；所述上绝缘层(6)上方设有上栅极(1)；其中，在与所述半导体层(5)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(1)的正投影与所述源极(2)的正投影存在第一间隙(8)，所述上栅极(1)的正投影与所述漏极(3)的正投影之间存在第二间隙(9)。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 | ||