| 发明名称 | CMOS存储器单元无导线隐形供电方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMOS SRAM电路的设计和布图方法，提出CMOS存储器单元无导线隐形供电方法，对阵列内的单元利用N井对PMOS供电从而达到节省布线节省面积的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN106298738A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610760187.4 | 申请日期 | 2016.08.30 |
| 申请人 | 绍兴嘉恒创能电子科技有限公司 | 发明人 | 李煜文;聂琦;叶菲;陈效军 |
| 分类号 | H01L23/535(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/535(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | CMOS存储器单元无导线隐形供电方法其特征在于，对阵列内的单元利用N 井对 PMOS 供电 以节省金属布线，提高面积利用率。 | ||
| 地址 | 312352 浙江省绍兴市上虞区曹娥街道越秀中路273号2号楼307 | ||