基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法和系统

摘要

基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法和系统,涉及集成电路技术。本发明的检测系统，包括下述部分：测试电压输出单元，用于向芯片的栅氧化层施加测试电压；漏电流放大单元，用于检测芯片栅氧化层的漏电流；与漏电流放大单元连接的服务器，存储有电压‑漏电流‑时间对照表。相较于现有技术，本发明没有参考寿命传感器，消除了工艺差异的影响，寿命传感电路参数值只与其自身初始值进行比较，影响参数变化的因素只来自使用寿命，因此寿命计算具有更高的准确性。

主权项

基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法，其特征在于，包括下述步骤：1)对目标芯片内的栅氧化层施加测试电压，检测栅氧化层的漏电流的电流值；2)若栅氧化层未被击穿，则升高测试电压，若栅氧化层被击穿，则降低测试电压，直至得到最大安全工作电压的电压值和在此电压下的漏电流的电流值；3)依据最大安全工作电压的电压值和对应的漏电流的电流值，在预存的电压‑漏电流‑时间对照表中查找和确定栅氧化层的已用时间。