| 发明名称 | 一种大面积超薄单晶及其快速生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。该方法包括：以荧光粉和氧化物基质为原料，或者以荧光粉、氧化物基质和稀土氧化物为原料，制备得到流模片后，再进行晶体生长，得到所述单晶。该方法具有如下优势：发光离子分布均匀浓度可控，大面积超薄片，超短生长周期，生长温度低，成本低产量高。 | ||
| 申请公布号 | CN106270523A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610873041.0 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 中国人民大学 | 发明人 | 曹永革;麻朝阳 |
| 分类号 | B22F3/22(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | B22F3/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种生长单晶的方法，为方法一或方法二；所述方法一包括如下步骤：以荧光粉和氧化物基质为原料，制备得到流模片后，再进行晶体生长，得到所述单晶；所述方法二包括如下步骤：以荧光粉、氧化物基质和稀土氧化物为原料，制备得到流模片后，再进行晶体生长，得到所述单晶。 | ||
| 地址 | 100872 北京市海淀区中关村大街59号 | ||