一种CMOS图像传感器及其制作方法和操作方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法和操作方法，涉及半导体技术领域。该CMOS图像传感器包括：具有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的至少两个传输晶体管和位于所述传输晶体管一侧的光电二极管区，其中至少两个传输晶体管与所述光电二极管区相连；至少两个浮置扩散区，间隔位于所述半导体衬底中、并位于所述传输晶体管的另一侧，其中至少两个浮置扩散区分别与一不同的所述传输晶体管相连。本发明的CMOS图像传感器采用多传输栅极控制浮置扩散区FD的有效电容值，使得浮置扩散区FD的电容值可以根据实际需要进行调节，并将CIS的最小灵敏度与饱和灵敏度都得到了优化，提高了CMOS图像传感器的性能。

主权项

一种CMOS图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的至少两个传输晶体管和位于所述传输晶体管一侧的光电二极管区，其中至少两个传输晶体管与所述光电二极管区相连；至少两个浮置扩散区，间隔位于所述半导体衬底中、并位于所述传输晶体管的另一侧，其中至少两个浮置扩散区分别与一不同的所述传输晶体管相连。