| 发明名称 | 减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法。该方法包括：S101，在栅极氧化层和栅极结构上沉积保护层，该保护层包括栅极氧化层保护层、栅极侧壁保护层以及栅极顶部保护层；S102，采用干法刻蚀去除栅极氧化层保护层以及栅极顶部保护层；S103，以栅极侧壁保护层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对上述栅极氧化层进行刻蚀减薄；以及S104，去除上述栅极侧壁保护层。按照上述方法刻蚀得到的半导体器件的栅极氧化层厚度均匀，克服了现有刻蚀工艺所带来的技术弊端。 | ||
| 申请公布号 | CN106298504A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510367220.2 | 申请日期 | 2015.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵连国;彭坤 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/32(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 赵囡囡;吴贵明 |
| 主权项 | 一种减薄栅极氧化层的方法，其特征在于，所述方法包括：S101，在栅极氧化层(202)和栅极结构(203)上沉积保护层(204)，所述保护层(204)包括栅极氧化层保护层(2041)、栅极侧壁保护层(2042)以及栅极顶部保护层(2043)；S102，采用干法刻蚀去除所述栅极氧化层保护层(2041)以及栅极顶部保护层(2043)；S103，以所述栅极侧壁保护层(2042)为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对所述栅极氧化层(202)进行刻蚀减薄；以及S104，去除所述栅极侧壁保护层(2042)。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||