| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN106298778A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610872541.2 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||