半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于半导体衬底表面的栅介质层和覆盖栅介质层的第一栅电极层；形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；形成位于侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层表面；去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；形成贯穿层间介质层的多个开口和位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。避免了漏电流的产生，形成的半导体器件的性能优越。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底表面的栅介质层和覆盖所述栅介质层的第一栅电极层；形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；形成分别位于所述侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙侧壁、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层顶部表面；去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；形成贯穿所述层间介质层的多个开口，所述开口暴露出第二栅电极层、源极和漏极；形成位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。