薄膜晶体管阵列基板及制作方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法，包括：在衬底上形成栅极和扫描线；在该衬底上沉积栅绝缘层和形成半导体层；在该栅绝缘层上依次沉积透明导电薄膜和铜薄膜；在该铜薄膜上涂覆光阻层，并使用半色调掩膜或灰阶掩模对该光阻层进行曝光和显影，在形成源极、漏极和数据线的区域留下第一光阻，在形成像素电极的区域留下第二光阻，在其他区域移除该光阻层以露出该铜薄膜；使用可以同时蚀刻该铜薄膜和该透明导电薄膜的蚀刻液，一次蚀刻去除露出部分的该铜薄膜以及下方的该透明导电薄膜；利用光阻灰化去除位于该像素电极区域上的第二光阻；使用仅蚀刻该铜薄膜但不蚀刻该透明导电薄膜的蚀刻液，蚀刻去除位于该像素电极区域上的该铜薄膜；剥离该第一光阻。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：在衬底(10)上沉积栅金属薄膜，对该栅金属薄膜进行一次光刻工艺形成栅极(12)和扫描线(11)；在该衬底(10)上依次沉积栅绝缘层(13)和半导体薄膜，对该半导体薄膜进行一次光刻工艺形成半导体层(14)；在该栅绝缘层(13)上依次沉积透明导电薄膜(15)和铜薄膜(16)；在该铜薄膜(16)上涂覆光阻层(20)，并使用半色调掩膜或灰阶掩模(30)对该光阻层(20)进行曝光和显影，在形成源极(16a)、漏极(16b)和数据线(16c)的区域留下第一光阻(20a)，在形成像素电极(15a)的区域留下第二光阻(20b)，在其他区域移除该光阻层(20)以露出该铜薄膜(16)，其中该第一光阻(20a)的厚度大于该第二光阻(20b)的厚度；使用可以同时蚀刻该铜薄膜(16)和该透明导电薄膜(15)的蚀刻液，一次性蚀刻去除露出部分的该铜薄膜(16)以及下方的该透明导电薄膜(15)；利用光阻灰化去除位于该像素电极(15a)区域上的第二光阻(20b)；使用仅蚀刻该铜薄膜(16)但不蚀刻该透明导电薄膜(15)的蚀刻液，蚀刻去除位于该像素电极(15a)区域上的该铜薄膜(16)；剥离该第一光阻(20a)，最终由该透明导电薄膜(15)制成该像素电极(15a)，由该铜薄膜(16)制成该源极(16a)、漏极(16b)和数据线(16c)，且在该源极(16a)、漏极(16b)和数据线(16c)下方重叠有该透明导电薄膜(15)。