| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件的制作方法包括：首先提供一基底，然后利用一第一图案化掩模形成一栅极介电层于基底上，去除第一图案化掩模，去除部分栅极介电层以及形成一浅沟隔离于栅极介电层两侧的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN106298485A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510308597.0 | 申请日期 | 2015.06.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 萧世楹;游焜煌;李年中;李文芳;王智充 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；利用一第一图案化掩模形成一栅极介电层于该基底上；去除该第一图案化掩模；去除部分该栅极介电层；以及形成一浅沟隔离于该栅极介电层两侧的该基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||