| 发明名称 | 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0<t≤0.5。本发明克服快门机械移动过程引起的异质材料界面问题，使异质材料具有更优的异质界面质量，可用于制备多量子阱、超晶格、量子级联激光器等多种结构，具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104073876B | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201410246865.6 | 申请日期 | 2014.06.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾溢;张永刚 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0<t≤0.5。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||