发明名称 |
石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法与应用,包括如下步骤:(1)采用Hummers法制备了氧化石墨(GO),然后利用水合肼对其进行还原得到石墨烯(rGO),将rGO分散液滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜;(2)采用循环伏安(CV)沉积法在rGO表面电沉积MnO<sub>2</sub>生长为纳米棒结构;(3)采用循环伏安(CV)沉积法在MnO<sub>2</sub>表面沉积PANI而得到rGO/MnO<sub>2</sub>/PAN纳米棒阵列;纳米棒阵列结构显著提高能量密度、循环稳定性以及倍率性能,作为高储能密度的超级电容器应用前景广阔。 |
申请公布号 |
CN106298286A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610901158.5 |
申请日期 |
2016.10.15 |
申请人 |
成都育芽科技有限公司 |
发明人 |
向红先 |
分类号 |
H01G11/86(2013.01)I;H01G11/24(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01G11/36(2013.01)I;H01G11/46(2013.01)I;H01G11/48(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01G11/86(2013.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)采用Hummers法制备了氧化石墨(GO),然后利用水合肼对其进行还原得到石墨烯(rGO),将rGO分散液滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜;(2)采用循环伏安(CV)沉积法在rGO表面电沉积MnO<sub>2</sub>生长为纳米棒结构;(3)采用循环伏安(CV)沉积法在MnO<sub>2</sub>表面沉积PANI而得到rGO/MnO<sub>2</sub>/PAN纳米棒阵列三元复合物。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区天府大道中段1388号1栋8层866号 |