使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化

摘要

本发明涉及使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化。考量芯片背面热移除不足的情况，模型化集成电路芯片上的装置由于自热及与其它(多个)装置的热耦合导致的温度变化。若要进行此模型化，必须使用测试集成电路(IC)芯片预先测定IC芯片上不同位置的虚热量对实际热量的比率。于测试期间，在测试IC芯片上的一个特定位置选择一个待作用为热源的测试装置，同时此测试IC芯片上其它位置的至少两个其它测试装置作用为温度传感器。对热源施加偏压，并且测定位于热源及传感器的温度变化。这些变化是用于计算待与此特定位置相关联的虚热量对实际热量比的值。

主权项

一种系统，其包含：内存，该内存储存封装中的集成电路芯片的设计布局，该集成电路芯片包含：衬底，该衬底具有正面以及与该正面对立的背面；及位于该正面上不同位置的装置；以及处理器，该处理器与该内存连通，并且基于该设计布局产生热模型，该热模型模型化该衬底的该正面上的第一装置相对于标称温度的总温度变化，该第一装置的该总温度变化是由于该第一装置的自热导致的第一温度变化页献以及由于与该正面上的第二装置热耦合导致的第二温度变化页献的总和，该第二温度变化页献是基于位于与该衬底的该背面相离的一点位的虚热量(Qⁱ)与位于该第二装置的实际热量(Q)的比率的值来计算，该比率的该值与该衬底的该正面上的该第二装置的特定位置相关联，以及该点位与该特定位置垂直对准，并且如该特定位置以相同距离与该衬底的该背面分隔。