发明名称 |
焦化塔内泡沫层的抑制方法 |
摘要 |
本发明公开了一种焦化塔内泡沫层的抑制方法,属于石油化工领域。该方法用于延迟焦化工艺,包括:焦化原料经加热炉加热后,转入焦化塔内进行焦化反应,并在焦化塔内形成泡沫层,当泡沫层首次上升至焦化塔内预定位置处时,在焦化塔的塔底注入无硅消泡剂,此时泡沫层被抑制而回落至预定位置下方,如果焦化原料的API度大于16,在塔底注入无硅消泡剂,直至生焦过程结束。如果焦化原料的API度小于等于16,当泡沫层再次上升至焦化塔内该预定位置处时,在塔顶注入含硅消泡剂,直至生焦过程结束。其中,该预定位置为距离焦化塔塔底的高度为焦化塔高度40%-80%的位置。本发明提供的方法成本低且能快速有效地抑制泡沫层,降低焦化馏分油的硅含量。 |
申请公布号 |
CN106281389A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510311850.8 |
申请日期 |
2015.06.08 |
申请人 |
中国石油天然气股份有限公司;中国石油工程建设公司;中国石油大学(华东) |
发明人 |
郭爱军;毕治国;王宗贤;谢崇亮;沐宝泉;刘东;孙汉华;叶虹;陈坤;李小娜;周鸿;迟志明;岳昭;李实;段斐 |
分类号 |
C10B57/12(2006.01)I |
主分类号 |
C10B57/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
周静 |
主权项 |
一种焦化塔内泡沫层的抑制方法,用于延迟焦化工艺,包括:焦化原料经加热炉加热后,转入焦化塔内进行焦化反应,并在所述焦化塔内形成泡沫层,其特征在于,当所述泡沫层首次上升至所述焦化塔内预定位置处时,在所述焦化塔的塔底注入无硅消泡剂,此时所述泡沫层被抑制而回落至所述预定位置下方;如果所述焦化原料的API度大于16,继续在所述焦化塔的塔底注入所述无硅消泡剂,直至在所述焦化塔内进行的生焦过程结束时为止;如果所述焦化原料的API度小于等于16,则当所述泡沫层再次上升至所述焦化塔内所述预定位置处时,在所述焦化塔的塔顶注入含硅消泡剂,直至在所述焦化塔内进行的生焦过程结束时为止;所述预定位置为距离所述焦化塔塔底的高度为所述焦化塔高度40%‑80%的位置。 |
地址 |
100007 北京市东城区东直门北大街9号中国石油大厦 |