一种超结MOSFET结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超结MOSFET结构及其制备方法，采用深槽刻蚀技术，避免了传统工艺中多次光刻、离子注入以及外延生长等复杂工艺，有效降低了制造成本，且通过在超结MOSFET中生长厚氧区，在保证导通电阻的同时有效提高了器件的击穿电压。

主权项

一种超结MOSFET结构，其特征在于，包括：硅衬底，在所述硅衬底上开设有多个沟槽；所述沟槽内形成有厚氧区；所述厚氧区与所述沟槽内壁之间形成有扩散柱，其中，所述扩散柱的掺杂类型与所述硅衬底的掺杂类型相反；源区，位于相接于所述扩散柱的一侧，并与所述硅衬底未接触；其中，所述源区的掺杂类型与所述硅衬底的掺杂类型相同；硅体区，包覆于所述源区外部，且与所述扩散柱相接；其中，所述硅体区的掺杂类型与所述硅衬底的掺杂类型相反；栅氧多晶层，平铺于所述硅衬底设有源区的一侧，且所述栅氧多晶层与所述硅体区和所述源区相接；介质层，包覆于所述栅氧多晶层外部，且与所述源区相接；以及金属层，包覆于所述介质层外部，且与所述硅衬底相接。