| 发明名称 | 止裂阻挡层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及止裂阻挡层及其制造方法。公开了一种晶片。所述晶片包括多个芯片和多个切缝。所述多个切缝中的切缝将一个芯片与另一芯片分离。所述切缝包括止裂阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN106298740A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610802535.X | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | S.温特 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王洪斌;蒋骏 |
| 主权项 | 一种半导体结构,包括:芯片;第一切缝,与所述芯片相邻并且具有第一主方向;第二切缝,与所述芯片相邻并且具有第二主方向;切缝结合部,由第一切缝和第二切缝形成;以及止裂阻挡层至少部分地延伸到第一切缝结合部中。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||