带分区写保护和保护位置乱处理的非挥发存储器及其写操作方法

摘要

本发明属于电阻式随机存储器外围设计领域，具体为一种带分区写保护和保护位置乱处理的非挥发存储器及其写操作方法。本发明非挥发存储器总体电路包括两部分功能不同的阻变式存储阵列、以及两部分功能对应的外围写保护电路。阻变式存储阵列包括一部分用于存储如密钥、认证标签等安全信息相关的数据，另一部分用于存储在进行写操作时需要得到确认的受保护数据。本发明可以提供安全信息相关的数据单独存储以防止任何修改或者受保护信息被无意修改或外界恶意篡改。

主权项

一种高安全性的非挥发存储器，按照安全性需求，分为OTP区和MTP区；其特征在于，包括：OTP区SET控制电路，MTP区写控制电路，写驱动电路，地址变换电路，存储阵列和写保护控制电路；而MTP区写控制电路包括MTP区SET控制电路和MTP区RESET控制电路；存储阵列包括OTP存储阵列、MTP存储阵列和保护位存储阵列；其中：所述OTP区SET控制电路，用于控制OTP存储阵列的SET写操作；所述MTP区SET控制电路用于控制MTP存储阵列的SET写操作；所述MTP区RESET控制电路用于控制MTP存储阵列的RESET写操作；上述控制信号和地址变换电路一起控制存储阵列能否被写入以及哪一个存储单元被写入；其中，地址变换电路在对普通存储阵列即OTP存储阵列和MTP存储阵列进行写操作时不进行地址变换，在对保护位存储阵列进行写操作时将输入地址自动转换成对应区块的保护位存储地址；写驱动电路提供存储单元修改时所需的电压。