| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN106298877A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610476203.7 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郭大荣;吴景锡;李承宰;玄尚镇 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;张青 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一鳍型图案，其设置在衬底上；第一场绝缘薄膜，其邻近于所述第一鳍型图案的侧壁；以及第二场绝缘薄膜，其邻近于所述第一场绝缘薄膜的侧壁，其中所述第一场绝缘薄膜介于所述第一鳍型图案与所述第二场绝缘薄膜之间，其中所述第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区，所述第一区更靠近所述第一场绝缘薄膜的侧壁，并且其中从所述第二场绝缘薄膜的底部至所述第二区的上表面的高度大于从所述第二场绝缘薄膜的底部至所述第一区的上表面的高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||