一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构

摘要

一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二极管D1和所述二极管D2是肖特基二极管，所述二极管D1与电阻R1串联后反并联在所述电阻RON1两端，并联后连接IGBT1的门极；所述二极管D2与所述电阻R2串联后反并联在所述电阻RON2两端，并联后连接IGBT2的门极，所述IGBT2的发射极接地，IGBT2的集电极连接IGBT1的发射极。与现有技术相比，本实用新型的解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，可有效地减少米勒效应，消除了电路中一个IGBT管导通瞬间通过寄生的米勒电容而对另一个管子的栅极电压的影响，电路结构简单，可实施性强。

主权项

一种解决半桥拓扑IGBT米勒效应的驱动结构，其特征在于，包括脉冲变压器以及设置在脉冲变压器副边的二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻RON1、电阻RON2、IGBT1、IGBT2，所述二极管D1和所述二极管D2是肖特基二极管，所述二极管D1与电阻R1串联后反并联在所述电阻RON1两端，并联后连接IGBT1的门极；所述二极管D2与所述电阻R2串联后反并联在所述电阻RON2两端，并联后连接IGBT2的门极，所述IGBT2的发射极接地，IGBT2的集电极连接IGBT1的发射极。