发明名称 INTERCONNECT STRUCTURE HAVING AN ETCH STOP LAYER OVER CONDUCTIVE LINES
摘要 집적 회로를 위한 다층 상호 접속 구조체가 기판 위의 제1 유전체 층 및 제1 유전체 층 위에서 부분적으로 노출되는 전도성 라인을 포함한다. 그러한 구조체는 제1 유전체 층 및 노출된 전도성 라인 모두의 위의 에칭 중단 층, 및 그러한 에칭 중단 층 위의 제2 유전체 층을 더 포함한다. 제2 유전체 층 및 에칭 중단 층은, 전도성 라인을 부분적으로 노출시키는 비아 홀을 제공한다. 그러한 구조체는 비아 홀 내에 배치되는 비아, 및 그러한 비아 위에 배치되고 비아를 통해서 전도성 라인에 커플링되는 다른 전도성 라인을 더 포함한다. 다층 상호 접속 구조체를 형성하는 방법이 또한 개시된다. 에칭 중단 층은, 오버레이(overlay) 오류로 인해서 비아 홀이 오정렬될 때, 제1 및 제2 유전체 층의 측방향 및 수직 에칭을 감소시킨다.
申请公布号 KR20170001544(A) 申请公布日期 2017.01.04
申请号 KR20150163931 申请日期 2015.11.23
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 싸이 쳉시웅;리 충주;슈에 사우린;바오 티엔아이
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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