一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法

摘要

本发明涉及一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法，基于前驱体具备分子水平上可设计性的特点，利用分段加热聚合，完成相分离。结合浸渍裂解工艺获得纤维增强的SiC复合材料或通过裂解、用传统陶瓷制备工艺获得SiC制品。制备的材料在显微结构上具备较大差异的晶粒尺寸、相分布模式及界面特性，从而使得SiC材料的热导率在大范围内变动。在特定工艺条件下，SiC材料高温下仍具备较高的热导率。

主权项

一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将含碳小分子有机物和聚碳硅烷前驱体按质量比为0％－50％进行混合，利用两者聚合性能差异，通过分段加热进行相分离实现对聚碳硅烷前驱体的修饰；所述含碳小分子有机物需含双键官能团，或需含苯环，或同时含有双键和苯环；所述聚碳硅烷需含硅氢键，或需含碳碳双键；所述分段加热指在50‑110℃可控聚合30‑80min，再升温至130‑250℃进一步聚合1‑24h，实现聚合物前驱体的相分离修饰；步骤2：将修饰的聚碳硅烷前驱体在600‑1400℃进行裂解，再用常用陶瓷制备工艺获得热导率可控的SiC。